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ZXMHC6A07N8TC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ZXMHC6A07N8TC
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 870mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base ZXMHC6A07
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 166pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.39A, 1.28A

En stock 11955 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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