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UMG4N-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: UMG4N-7
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 10kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-353
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.15 $0.15 $0.14
Mínimo: 1

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