La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

DRDNB16W-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DRDNB16W-7
Descripción: TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased + Diode
Número de pieza base DRDNB16
Resistencia - Base (R1) 1 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-363
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 600mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 16699 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor
$0
DDTD113ZC-7-F
Diodes Incorporated
$0
DTC143EKAT146
ROHM Semiconductor
$0
BC846ALT1G
ON Semiconductor
$0