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DMTH10H010LCTB-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMTH10H010LCTB-13
Descripción: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 53.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2592pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 108A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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