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DMT69M8LSS-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMT69M8LSS-13
Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.25W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1925pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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