La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

DMT68M8LSS-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT68M8LSS-13
Descripción:	MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.9W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	31.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2107pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	28.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V