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DMT6018LDR-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: DMT6018LDR-7
Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.9W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores V-DFN3030-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 869pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.8A (Ta)

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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