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DMT5015LFDF-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT5015LFDF-13
Descripción:	MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	15mOhm @ 8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	820mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-UDFN2020 (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	50V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	902.7pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V