La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

DMT10H010SPS-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT10H010SPS-13
Descripción:	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	8.8mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI5060-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	56.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4.468nF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	10.7A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V