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DMT10H010LPS-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMT10H010LPS-13
Descripción:	MOSFET N-CH 100V 9.4A
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	9.5mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.2W (Ta), 139W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI5060-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	71nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3000pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.4A (Ta), 98A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V