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DMS2120LFWB-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMS2120LFWB-7
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	1.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-DFN3020B (3x2)
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	632pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V