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DMN62D0LFB-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN62D0LFB-7
Descripción: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V
Disipación de energía (máx.) 470mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 3-X1DFN1006
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.45nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 32pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V

En stock 2360 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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