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DMN61D8LVTQ-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: DMN61D8LVTQ-13
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 820mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores TSOT-26
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.74nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 12.9pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 630mA

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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