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DMN3016LDN-13
| Fabricantes: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | DMN3016LDN-13 |
| Descripción: | MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | V-DFN3030-8 (Type J) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1415pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.2A (Ta) |
En stock 79 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.16 | $0.16 | $0.15 |
Mínimo: 1
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