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DMN2022UFDF-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN2022UFDF-13
Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 660mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN2020-6 (Type F)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 907pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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