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DMN2016LFG-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: DMN2016LFG-7
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 770mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerUDFN
Número de pieza base DMN2016L
Vgs(th) (Max) - Id 1.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN3030-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1472pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.2A

En stock 18000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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