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DMN2015UFDF-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMN2015UFDF-13
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	U-DFN2020-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	42.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1439pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	15.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V