DMN2013UFX-7
Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | DMN2013UFX-7 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 2.14W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.1V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | W-DFN5020-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 57.4nC @ 8V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2607pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Ta) |
En stock 95 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.25 | $0.25 | $0.24 |
Mínimo: 1