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DMN2011UFX-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: DMN2011UFX-7
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-VFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores V-DFN2050-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2248pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.2A (Ta)

En stock 12000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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