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DMN2011UFDE-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN2011UFDE-7
Descripción: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Número de pieza base DMN2011
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 610mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN2020-6 (Type E)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2248pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 14827 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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