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DMN2005UFG-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMN2005UFG-13
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.05W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	164nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	6495pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	18.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V