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DMN2005LP4K-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN2005LP4K-7
Descripción: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Disipación de energía (máx.) 400mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores X2-DFN1006-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 41pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V

En stock 184046 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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