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DMN1019USN-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN1019USN-7
Descripción: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 800mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 680mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-59
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 50.6nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2426pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V

En stock 21064 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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