La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

DMG4N60SJ3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMG4N60SJ3
Descripción: MOSFET NCH 600V 3A TO251
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 532pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
$0
NVTFS5820NLTAG
ON Semiconductor
$0
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
$0