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DDC114EH-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: DDC114EH-7
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base DDC114
Resistencia - Base (R1) 10kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-563
Resistencia - Base emisora (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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