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S34MS02G104BHB013

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: S34MS02G104BHB013
Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie Automotive, AEC-Q100, MS-1
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología FLASH - NAND
Tiempo de acceso 45ns
Tamaño de la memoria 2Gb (128M x 16)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 63-VFBGA
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 63-BGA (11x9)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 45ns

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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