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CYDD18S36V18-200BBXC

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CYDD18S36V18-200BBXC
Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM - Dual Port, Synchronous
Tiempo de acceso 500ps
Tamaño de la memoria 18Mb (256K x 36 x 2)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 256-LBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Número de pieza base CYDD
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 256-FBGA (17x17)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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