La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CY7S1061GE30-10BVM
| Fabricantes: | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | CY7S1061GE30-10BVM |
| Descripción: | 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Cypress Semiconductor Corp |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tray |
| Tecnología | SRAM - Synchronous, SDR |
| Tiempo de acceso | 10ns |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 48-VFBGA |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 2.2V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 48-VFBGA (6x8) |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
En stock 92 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $35.98 | $35.26 | $34.56 |
Mínimo: 1
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