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CY7C1354C-200BGC

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CY7C1354C-200BGC
Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie NoBL™
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM - Synchronous, SDR
Tiempo de acceso 3.2ns
Tamaño de la memoria 9Mb (256K x 36)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 119-BGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Número de pieza base CY7C1354
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 119-PBGA (14x22)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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