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CY7C1312CV18-250BZI

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CY7C1312CV18-250BZI
Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM - Synchronous, QDR II
Tamaño de la memoria 18Mb (1M x 18)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 165-LBGA
Frecuencia del reloj 250MHz
Número de pieza base CY7C1312
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 165-FBGA (13x15)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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