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CY14B104NA-ZSP25XI

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CY14B104NA-ZSP25XI
Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tiempo de acceso 25ns
Tamaño de la memoria 4Mb (256K x 16)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria NVSRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Número de pieza base CY14B104
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 54-TSOP II
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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