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CY14B104NA-BA45XE

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CY14B104NA-BA45XE
Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tiempo de acceso 45ns
Tamaño de la memoria 4Mb (256K x 16)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria NVSRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 48-TFBGA
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 48-FBGA (6x10)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 45ns

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$28.78 $28.20 $27.64
Mínimo: 1

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