La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CY14B104NA-BA20XI
| Fabricantes: | Cypress Semiconductor Corp |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | CY14B104NA-BA20XI |
| Descripción: | IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Cypress Semiconductor Corp |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tray |
| Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Tiempo de acceso | 20ns |
| Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | NVSRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 48-TFBGA |
| Número de pieza base | CY14B104 |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 48-FBGA (6x10) |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
En stock 63 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $26.98 | $26.44 | $25.91 |
Mínimo: 1
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