La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CDBJSC101200-G
| Fabricantes: | Comchip Technology |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | CDBJSC101200-G |
| Descripción: | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-2 |
| Capacitancia : Vr, F | 780pF @ 0V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220-2 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 100µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 10A (DC) |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.7V @ 10A |
En stock 87 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $9.49 | $9.30 | $9.11 |
Mínimo: 1
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