La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CDBGBSC201200-G
| Fabricantes: | Comchip Technology |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Ficha técnica: | CDBGBSC201200-G |
| Descripción: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-247-3 |
| Configuración de diodos | 1 Pair Common Cathode |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-247 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 100µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.8V @ 10A |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 25.9A (DC) |
En stock 78 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $17.98 | $17.62 | $17.27 |
Mínimo: 1
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