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CDM22010-650 SL

Fabricantes: Central Semiconductor Corp
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CDM22010-650 SL
Descripción: MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Central Semiconductor Corp
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) 30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta), 156W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1168pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 629 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.11 $2.07 $2.03
Mínimo: 1

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