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BDV65B

Fabricantes: Central Semiconductor Corp
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: BDV65B
Descripción: POWER TRANSISTOR NPN TO218
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Central Semiconductor Corp
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 125W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-218-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento -
Frecuencia - Transición 60MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-218
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic -
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 12A
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 64 pcs

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