Image is for reference only , details as Specifications

AS4C16M16D1-5BIN

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: AS4C16M16D1-5BIN
Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SDRAM - DDR
Tiempo de acceso 700ps
Tamaño de la memoria 256Mb (16M x 16)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 60-TFBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 60-TFBGA (8x13)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

En stock 240 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.48 $4.39 $4.30
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

S29GL256S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
$0
RMLV0416EGBG-4S2#KC0
Renesas Electronics America
$0
AS7C34098B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
$4.37
NDL28PFH-8KIT
Insignis Technology Corporation
$0
S29JL064J70TFI003
Cypress Semiconductor Corp
$0