ALD212908SAL
Fabricantes: | Advanced Linear Devices, Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | ALD212908SAL |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Empaquetado | Tube |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 20mV @ 10µA |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 10.6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 80mA |
En stock 53 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.98 | $3.90 | $3.82 |
Mínimo: 1