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ALD212900APAL

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ALD212900APAL
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Advanced Linear Devices, Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie EPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Empaquetado Tube
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) - Id 10mV @ 20µA
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14Ohm
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDIP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 10.6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 30pF @ 5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80mA

En stock 21 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.96 $5.84 $5.72
Mínimo: 1

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