ALD114935PAL
Fabricantes: | Advanced Linear Devices, Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | ALD114935PAL |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | EPAD® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Empaquetado | Tube |
Característica FET | Depletion Mode |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 500mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.45V @ 1µA |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 540Ohm @ 0V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PDIP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 10.6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2.5pF @ 5V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12mA, 3mA |
En stock 91 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$4.23 | $4.15 | $4.06 |
Mínimo: 1