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ALD111933PAL
| Fabricantes: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | ALD111933PAL |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | EPAD® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Empaquetado | Tube |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 500mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.35V @ 1µA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PDIP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 10.6V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2.5pF @ 5V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | - |
En stock 89 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.69 | $3.62 | $3.54 |
Mínimo: 1
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