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2SB1457,T6YMEF(M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: 2SB1457,T6YMEF(M
Descripción: TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 50MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92MOD
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 10µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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