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UG58GHB0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: UG58GHB0G
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Bulk
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso DO-201AD, Axial
Capacitancia : Vr, F -
Paquete de dispositivos de proveedores DO-201AD
Tiempo de recuperación inversa (trr) 20ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 30µA @ 600V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 600V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 5A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 2.1V @ 5A

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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