IPW65R110CFDFKSA2
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPW65R110CFDFKSA2 |
Descripción: | HIGH POWER_LEGACY |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ CFD2 |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 1.3mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 277.8W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO247-3-41 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 118nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3240pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 31.2A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 96 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$4.55 | $4.46 | $4.37 |
Mínimo: 1