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2N7002DW L6327

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: 2N7002DW L6327
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT363-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 20pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 300mA

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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