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IXTT1N300P3HV

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTT1N300P3HV
Descripción:	2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	50Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	195W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-268
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	30.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	3000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	895pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V